标签:磁隧道结

高性能记忆:小说横向双磁隧道结(MTJ)和正交偏振器
通过技术论文链接11月17日,2022 -评论:0

一个新的技术论文题为“横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆”是汉阳大学的研究人员发表的。发现这里的技术论文。2022年11月出版。罪,S。,哦,美国横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆....»阅读更多

抗辐射非易失性磁铁闩,容忍鼻烟和DNUs
通过技术论文链接9月- 13,2022 -评论:0

研究论文题为“抗辐射和高可靠性和持久性存储非易失性磁锁”是安徽大学的研究人员发表的,合肥工业大学,LIRMM, Kyutech。根据文摘:“基于先进triple-path dual-interlocked-storage-cell (TPDICE)和mtj,本文提出一种抗辐射非易失性magneti……»阅读更多

小说自旋电子Neuro-mimetic设备模拟生活神经元动力学w /高能源效率和紧凑的足迹
通过技术论文链接- 03年6月,2022 -评论:0

新技术论文题为“噪音弹性漏integrate-and-fire神经元基于多域自旋电子元件”来自普渡大学的研究人员。抽象”可以有效地模拟神经功能在硬件构建神经形态计算系统是至关重要的。在各种类型的neuro-mimetic设备进行了调查,仍然是具有挑战性的……»阅读更多

下的覆盖和对齐标记成像使用微微秒激光声测量不透明层
通过上的创新- 09年11月,2021 -评论:0

光学不透明材料带来的一系列挑战semi-damascene校准和叠加的过程流或处理后的磁隧道结(MTJ)磁性随机存取存储器(MRAM)。覆盖和对齐模式的模式定义的光刻层和底层设备操作基本在所有多层patterne……»阅读更多

可靠和高效紧凑的可伸缩MTJ仿真的模型
通过费尔南多·加西亚雷东多- 09年9月,2021 -评论:0

费尔南多·加西亚雷东多,Pranay Prabhat, Mudit Bhargava自1975年发现以来,Tunnel-Magneto-Resistance(咯)一直积极调查。从2000年代,工艺技术的进步使得磁性随机存取记忆的小型化(mram)基于咯设备,与传统CMOS集成到流程。引入magneti……»阅读更多

新的记忆添加新的错误
通过布来安梅奥- 07年9月,2021 -评论:1

新的非易失性记忆(NVM)带来新的机会改变我们如何使用内存systems-on-chip (soc),但他们也为确保添加新的挑战,他们将按预期工作。这些新的内存类型——主要是MRAM和ReRAM依靠独特的物理现象来存储数据。这意味着新的测试序列和故障模式可能需要被释放之前t…»阅读更多

一个紧凑的可伸缩MTJ仿真模型
通过技术论文链接8月24日,2021 -评论:0

阅读完整的技术论文。6月9日,2021年出版。摘要提出了一种基于物理建模框架的分析和瞬态模拟电路包含自旋扭矩(STT)磁隧道结(MTJ)设备。框架提供的工具来分析随机行为mtj和生成Verilog-A紧凑模型模拟在守护神…»阅读更多

MRAM在多个方向发展
通过布来安梅奥2021年3月- 11 -评论:1

磁阻的随机存取存储器(MRAM)是为数不多的几个新的非易失性内存技术针对广泛的商业可用性,但设计MRAM芯片和系统不是简单地添加其他类型的内存。MRAM不是all-things-for-all-applications技术。需要调整的目的。mram针对flash也不针对sram,和副更小……»阅读更多

对soc测试嵌入式MRAM IP
通过Synopsys对此2020年3月- 11 -评论:0

嵌入式记忆测试和维修的挑战是众所周知的,以防止测试包括最大限度地提高故障覆盖率逃脱并使用备用元素制造业产量最大化。激增的有前途的非易失性内存架构的可用性增强,有可能取代传统挥发性记忆,一套新的SoC水平记忆测试和修复挑战新兴……»阅读更多

MRAM过程开发和生产简报
通过杰夫·巴纳姆2020年3月- 10 -评论:0

孟博士朱,罗马Sappey博士和杰夫·巴纳姆MRAM(磁阻的随机存取内存)是一种非易失性内存(NVM)利用磁州来存储信息。MRAM的基本结构是一个磁隧道结(MTJ),由两层铁磁(FM)隔开一个绝缘隧道结(图1)。当两个磁性的磁化……»阅读更多

←旧的文章

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu