摘要
集成在硅基光子平台上的III-V半导体激光器是业界迫切期待的大规模应用，从互连到片上传感。目前的理解是，只有量子点激光器可以合理地在III-V-on-Si异质外延产生的高位错密度下工作，这导致了高的非辐射载流子重组率。在这里，我们提出了一种基于ii型带对准的策略来制造高度耐位错的量子阱激光器。在Si上生长的中红外GaInSb/InAs带间级联激光器表现出与生长在天然GaSb衬底上的激光器相似的性能，尽管位错密度在108cm−2范围内。我们已经收集了超过3800小时的连续波操作数据，推算出的平均故障时间超过312,000小时。这验证了所提出的策略，并为新的集成激光器开发开辟了道路。”
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Laurent Cerutti, Daniel A. Díaz Thomas, Jean-Baptiste Rodriguez, Marta里约热内卢Calvo, Gilles Patriarche, Alexei N. Baranov，和Eric Tournié，“高度耐位错的量子阱带间半导体激光器”，Optica 8, 1397-1402(2021)。
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