III-V激光图案硅光子学平台上生长与光耦合到被动罪恶波导


技术论文题为“打开单片集成场景:之间的光耦合GaSb二极管激光器外延生长在有图案的硅基质和被动罪孽波导”由蒙彼利埃大学的研究人员发表Tyndall国立研究所,明斯特科技大学和理工大学的巴里。文摘:“硅(Si)光子学最近……»阅读更多

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