技术论文题为“李iontronics在单个水晶T-Nb2O5薄膜与垂直离子传输通道”发表的马克斯普朗克研究所研究员微结构物理,剑桥大学,宾夕法尼亚大学,Gumi电子和信息技术研究所、西北大学、阿尔巴同步光源。
“氧化铌变形T注2O5一直在广泛调查其散装形式尤其是应用于充电快电池和电化学电容器(伪)。其晶体结构的二维(2 d)和非常低的位阻层,允许快速锂离子迁移。然而,自1941年发现以来,单个水晶的生长薄膜及其电子应用程序尚未意识到,可能由于其大斜方晶系的单位细胞连同许多多晶型物的存在。在这里我们展示单个水晶的外延生长T注2O5薄膜,批判性的离子传输通道的垂直于膜的表面。这些垂直的2 d通道启用快速锂离子迁移,我们展示产生一个巨大的insulator-metal过渡,电阻率下降11个数量级的最初的人口由于空注4d0州的电子。此外,我们发现多个未知的相变与不同的水晶和电子结构在一个广泛的锂离子浓度通过原位综合实验和理论计算,允许这些阶段的可逆和可重复的操作及其独特的电子性质。这项工作为探索新型薄膜铺平了道路与离子通道及其潜在的应用。”
找到技术论文。2023年7月出版。读到这相关新闻文章马克斯普朗克研究所的物理微观结构。
汉族,H。、Jacquet问。江,z . et al .李iontronics单个水晶T-Nb2O5薄膜与垂直的离子传输通道。Nat。板牙。(2023)。https://doi.org/10.1038/s41563 - 023 - 01612 - 2
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