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标签:宽禁带

技术论文综述:6月14日
通过琳达·克里斯坦森- 2022年6月14日-评论:0

新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=33 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分)，告诉我们你还想加入什么。如果你有研究论文，你试图推广，我们将审查他们，看看他们是否适合…»阅读更多

镓氧化物电力电子路线图
通过技术文件链接- 2022年4月18日-意见:0

新的研究论文解决了使用氧化镓的挑战。摘要:氧化镓在过去十年中经历了快速的技术成熟，将其推向了超宽带隙半导体技术的前沿。最大限度地发挥新半导体系统的潜力需要业界共同努力，解决限制性能的技术障碍。嘟……»阅读更多

寄生特性引入电源设计仿真
通过迪丹吉不- 2022年3月9日-评论:0

两大动力设计挑战将团队带入了陌生领域。宽带隙(WBG)半导体的目标是更高的效率和密度。更严格的EMI合规法规现在成为关键任务行业的标准。电源设计实践仍在迎头赶上。在成功之前，模拟通常要比重制硬件原型退居其次。缺少什么可以让sim…»阅读更多

中高功率宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
通过技术文件链接- 2022年2月4日-评论:0

摘要:“宽带隙(WBG)基于材料的开关器件，如氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被认为是替代传统硅(Si) mosfet的非常有前途的候选器件，用于各种先进的功率转换应用，主要是因为它们的性能比…»阅读更多

加速SiC和GaN
通过安Mutschler- 2021年12月13日-意见:0

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在电力电子产品中越来越受欢迎，特别是在汽车应用中，随着产量的扩大，降低了成本，并增加了对更好的工具的需求，以设计、验证和测试这些宽带隙器件。SiC和GaN在电动汽车的电池管理等领域都被证明是必不可少的。他们可以处理很多…»阅读更多

阶梯状si掺杂n-GaN结构gan基紫外led性能的改进
通过技术文件链接- 2021年10月6日-评论:0

“研究了一种利用阶梯状硅掺杂GaN层提高紫外发光二极管(uv - led)性能的方法。高分辨率x射线衍射结果表明，具有阶梯状硅掺杂GaN层的UV-LED具有较好的质量和较低的位错密度。此外，实验结果表明，光输出功率和壁塞效率均可提高。»阅读更多

为下一代动力半挂车做准备
通过马克LaPedus- 2021年9月16日-评论:0

经过多年的研发，几家供应商正在向基于下一代宽带隙技术的功率半导体和其他产品迈进。这些器件利用了新材料的特性，如氮化铝、金刚石和氧化镓，它们也用于不同的结构，如垂直氮化镓功率器件。但是，虽然很多人……»阅读更多

用于CoolGaN 600v hemt的栅极驱动解决方案
通过英飞凌- 2021年7月8日-评论:0

本文介绍了英飞凌CoolGaN 600v电子模式hemt的栅极驱动要求。讨论了各种驱动解决方案，从标准的rc耦合驱动器到使用专用门驱动器ic的新型差分驱动概念。在半桥拓扑中，结合隔离和非隔离驱动器的混合配置可能是一种令人兴奋的替代方案。实际应用…»阅读更多

GaN器件垂直发展
通过凯瑟琳德比郡- 2021年4月15日-评论

长期以来，氮化镓在半导体中的各种用途一直处于地平线上，但由于各种技术障碍，在商业规模上实现这一点相对缓慢。这种情况可能即将改变。GaN的宽带隙使其成为功率转换应用中特别有吸引力的材料。不过，在商业设备上实现它的好处……»阅读更多

提高封装的导电密度
通过肖恩·鲍尔斯- 2021年2月18日-评论:0

宽带隙(WBG)半导体技术为功率封装带来了新的挑战和机遇。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等技术的发展，与硅mosfet相比，具有更高的性能系数(FOM)，并扩展了电力电子器件的效率、输出功率和/或开关频率范围和工作温度范围。低lo…»阅读更多

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