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薄四模封装(QDP)开发


在固态存储器晶圆厂的世界里,每mm2位是规则。在内存封装市场,每一给定封装厚度的硅平方毫米是决定性的特征。晶圆的内存架构和封装技术都利用3D结构来实现最佳的比特密度。在晶圆厂的情况下,3D NAND和其他技术正在挑战极限,以满足ev…»阅读更多

提高封装的导电密度


宽带隙(WBG)半导体技术为功率封装带来了新的挑战和机遇。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等技术的发展,与硅mosfet相比,具有更高的性能系数(FOM),并扩展了电力电子器件的效率、输出功率和/或开关频率范围和工作温度范围。低lo…»阅读更多

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