在电力电子领域,复合半导体氮化镓和碳化硅是主导市场。由于其有益的属性,砷化镓正在获得越来越多的重要性。其目的是根据砷化镓生产设备用于电力电子与类似或更好的性能,但在降低成本。在这项工作中,第一个砷化镓PIN二极管900 V操作是捏造和特征。与温度有关的反向击穿行为调查的帮助下TCAD仿真和高压测量。基于这些结果,生成一个分析模型可以复制这种行为。这使砷化镓PIN二极管的进一步优化最优满足客户的需要。
作者(年代)
帕特里克Scharf
Fraunhofer-Institut毛皮Integrierte Schaltungen IIS, Institutsteil Entwicklung适应性和
Velarde冈萨雷斯和法比奥·阿尔贝托
Fraunhofer-Institut毛皮Integrierte Schaltungen IIS, Institutsteil Entwicklung适应性和
安德烈·兰格
Fraunhofer-Institut毛皮Integrierte Schaltungen IIS, Institutsteil Entwicklung适应性和
托拜厄斯城市和Volker杜德克
3 - 5电力电子公司
Zeitschrift
罗马尼亚的信息科学和技术杂志》上
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