标签:砷化镓

高功率应用GaAs PIN二极管的反向击穿行为研究
通过弗劳恩霍夫东亚峰会- 2023年1月11日-意见:0

在电力电子领域，化合物半导体氮化镓和碳化硅主导着市场。由于其有益的性质，砷化镓越来越受到人们的重视。其目标是制造基于砷化镓的器件，用于电力电子设备，具有相当或更好的性能，但成本更低。在这项工作中，第一个GaAs PIN二极管…»阅读更多

超快激光刻蚀GaAs内部三维结构
通过技术文件链接- 2022年11月28日-评论:0

法国LP3实验室(艾克斯-马赛大学(AMU)和法国国家科学研究中心的联合研究单位)的研究人员发表了一篇题为“在砷化镓内部启用爆发模式的超快激光铭文”的新技术论文。“我们研究了在GaAs内部使用thzrepetitrate突发模式的可能性，这种材料不能用单飞秒脉冲进行内部处理……»阅读更多

150MM活蹦乱跳
通过应用材料- 2019年2月21日-评论:0

你认为用150毫米晶圆制造芯片已经是过去式了吗?再想想。塑造我们共同未来的许多大趋势——移动性、自动驾驶和电动汽车、5G无线通信、增强现实和虚拟现实(AR/VR)以及医疗保健——都依赖于150毫米晶圆尺寸上的创新。虽然人们的注意力往往集中在对尖端技术的争夺上……»阅读更多

芯片的条件
通过布莱恩•贝利- 2018年6月14日-评论:2

能做的事情并不总是意味着应该去做。半导体行业的一个部门正在经历惨痛的教训，认识到持续的芯片集成有显著的不利因素。与此同时，另一个研究小组刚刚开始看到将功能整合到单个基板上的好处。遵循摩尔定律的公司…»阅读更多

RF SOI战争开始
通过马克LaPedus- 2018年5月17日-意见:2

由于智能手机对RF SOI工艺的巨大需求和短缺，几家代工厂正在扩大其RF SOI工艺的产能。许多晶圆代工厂正在增加其200mm RF SOI晶圆厂产能，以满足不断飙升的需求。然后，GlobalFoundries, TowerJazz, TSMC和UMC正在300mm晶圆厂扩展或引入RF SOI工艺，显然是为了获得第一波RF…»阅读更多

硅的持久战
通过埃德·斯珀林- 2017年12月18日-评论:0

全硅衬底和铜线的时代可能即将结束。未来的进展越来越依赖于为特定应用开发的更奇特的材料组合。但在多年预测硅将消亡之后，现在看来，这些预测可能为时过早。考虑到越来越多的化学组合被创造出来，这并不总是显而易见的……»阅读更多

柔性电子学的进展
通过凯瑟琳德比郡- 2017年2月16日-评论:0

柔性电子器件已被广泛应用，从脉冲和活动监测到电解质平衡测量。这使得归纳起来很困难，但大多数提议的设备都涉及到[getkc id="187" kc_name="传感器"]、电源、机载数据存储和分析电子设备以及用于配置和数据的某种形式的通信……»阅读更多

硅光子学成为焦点
通过埃德·斯珀林- 2016年10月31日-评论:5

硅光子学作为数据中心内部铜线的配套技术正吸引着越来越多的关注和投资，这也引发了新的问题，即下一步会发生什么以及何时会发生。光一直是速度的终极标准。它需要更少的能量来移动大量的数据，产生的热量比电力更少，而且它可以在长距离或短距离上同样出色地工作……»阅读更多

RF GaN获得蒸汽
通过马克LaPedus- 2016年7月25日-意见:0

RF [getkc id="217" kc_name="氮化镓"](GaN)器件市场正在升温，因为在基础设施设备、导弹防御和雷达等一系列系统中，人们需要更高的性能和更好的功率密度。例如，在一个方面，射频GaN开始取代当今无线基站中功率放大器插座的硅基技术。GaN是m…»阅读更多

功率/性能位:3月31日
通过杰西·艾伦- 2015年3月31日-意见:0

斯坦福大学研究人员开发的一种制造工艺可以大幅降低砷化镓电子产品的成本，有可能为该材料开辟新的应用领域。在寻找硅的替代品的过程中，砷化镓(GaAs)在性能上有很大的优势。它比硅更快，噪音更小，并具有宽的直接带隙…»阅读更多

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