22nm CMOS技术中安全关键应用的坚固锁存器抗QNUs


安徽大学、合肥工业大学、安徽工业大学、九州理工大学和蒙彼利埃大学/CNRS的研究人员刚刚发表了一篇题为“用于纳米CMOS的四节点扰动的成本优化和健壮闩锁硬化”的技术论文。摘要:“随着CMOS晶体管特征尺寸的急剧减小,软…»阅读更多

ORNL:在极端温度和辐射下使用宽带隙半导体材料的优势


ORNL(橡树岭国家实验室)题为“极端温度和辐射环境下的宽带隙半导体”的研究论文。“随着其更大的电压击穿,更高的电流限制和更快的开关速度,宽带隙半导体在市场上的应用越来越多,而不是传统上占主导地位的硅器件。碳化硅半导体有…»阅读更多

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