一个二维半导体场效应晶体管的报告和基准测试过程

通过技术文件链接- 2022年7月29日-意见:0

来自NIST、普渡大学、加州大学洛杉矶分校、Theiss research、北京大学、纽约大学、Imec、亚琛工业大学等的研究人员发表了题为“如何报告和基准新兴场效应晶体管”的新研究论文。“新兴的低维纳米材料作为场效应晶体管(fet)的器件应用已经研究了几十年。然而，正确的报告和比较…»阅读更多

finfet让位给全能门

通过林的研究- 2020年11月18日-评论:0

当finfet第一次在22纳米节点上商业化时，它代表了我们制造晶体管的方式的革命性变化，晶体管是芯片“大脑”中的微小开关。与之前的平面晶体管相比，翅片在三面通过栅极接触，提供了更好的控制在翅片内形成的通道。但是，finfet已经达到了其用途的尽头。»阅读更多

通过马克LaPedus- 2014年1月14日-意见:0

MoS2 fet二维材料在研发实验室中获得了很大的发展。二维材料包括石墨烯、氮化硼(BN)和过渡金属二卤属化合物(TMDs)。其中一种TMD，二硒化钼(MoS2)，是未来场效应晶体管(fet)中极具吸引力的材料。MoS2具有非零带隙、原子尺度厚度和原始int等特性。»阅读更多