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标签:DIBL

一个二维半导体场效应晶体管的报告和基准测试过程
通过技术文件链接- 2022年7月29日-意见:0

来自NIST、普渡大学、加州大学洛杉矶分校、Theiss research、北京大学、纽约大学、Imec、亚琛工业大学等的研究人员发表了题为“如何报告和基准新兴场效应晶体管”的新研究论文。“新兴的低维纳米材料作为场效应晶体管(fet)的器件应用已经研究了几十年。然而，正确的报告和比较…»阅读更多

评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET器件性能的影响
通过Coventor- 2021年9月15日-评论

本文利用SEMulator3D虚拟制造平台构建了一个5nm FinFET流。使用SEMulator3D的模式依赖蚀刻功能研究了不同的STI(浅沟隔离)凹槽轮廓，包括沟槽/地基轮廓、鳍片高度和不平衡鳍片高度的变化。然后研究了STI隐窝轮廓对器件性能的影响。»阅读更多

使用自对准光晕补偿通道植入的替换栅高k/金属栅nmosfet
通过联华电子- 2021年6月16日-评论:0

基于数值模拟，提出了一种提高替代栅极(RMG)高k/金属栅极(HK/MG)器件长通道晕掺杂nmosfet输出电阻(Rout)特性的器件设计技术。我们表明，自对准halo-compensated channel implant (HCCI)是在dummy poly gate去除后进行的，为传统的halo掺杂提供了补偿. ...»阅读更多

转向GAA fet
通过凯瑟琳德比郡- 2020年2月20日-评论

你如何测量晶体管的大小?是栅极长度，还是源极和漏极触点之间的距离?对于平面晶体管，这两个值大致相同。栅极，加上介电间隔，适合源和漏触点之间。接触间距，受限于光刻工艺可以打印的最小特征，决定了多少晶体管…»阅读更多

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