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白皮书

评价STI凹槽轮廓控制对先进FinFET器件性能的影响

具有最佳沟槽轮廓的STI凹槽可以增加通态电流,减少关态泄漏。

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本文利用simulator3d虚拟制造平台构建了5nm FinFET流场。利用SEMulator3D的模式相关蚀刻能力,研究了不同的STI(浅沟槽隔离)凹槽轮廓,包括沟槽/基脚轮廓、鳍高度和不平衡鳍高度的变化。然后利用内置的漂移扩散求解器研究了STI凹槽形状对器件性能的影响。我们的分析证实,更大的底脚、更低的鳍高度和更大的鳍高度不平衡将产生更严重的DIBL问题,并导致更高的off-state泄漏。具有最佳沟槽轮廓的STI凹槽可以增加通态电流,减少关态泄漏。

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1评论

SUHAIMI SELIMAN 说:

FINFET……
写。(量子隧穿)…信号衰减/存储器减弱和功率损失(基片到电荷陷阱)。由于较高的+ ve电荷,一些信号可能传播到门。@通过光子中和。

读……非实际信号(人体防静电SSD内存导电部分及大气电荷,)

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