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标签:浅槽隔离

评估STI休会剖面控制先进FinFET的影响性能
通过玉德陈10月- 21,2021 -评论:0

剖面变化是最重要的一个问题在半导体器件制造和扩展。这些变化可以降低芯片产量和设备性能。虚拟制造可以用来研究剖面变化非常有效和经济的方式,避免过程周期时间和硅片成本的工厂。在这篇简短的文章中,我们将回顾STI (s的影响……»阅读更多

评估STI休会剖面控制先进FinFET的影响设备的性能
通过Coventor9月- 15,2021 -评论:1

本文5 nm FinFET流建成使用SEMulator3D虚拟制造平台。不同的STI(浅槽隔离)休会概要文件使用SEMulator3D的pattern-dependent腐蚀能力进行调查,包括挖沟的变化/基础概要,翅片高度和翅片高度不平衡。STI休会概要文件对设备性能的影响被调查usi……»阅读更多

再造FinFET的
通过马克LaPedus11月- 13,2014 -评论:0

半导体行业仍处于早期阶段的[getkc id = " 185 " kc_name = " finFET "]时代,但[getkc id = " 26 " kc_name =“晶体管”)技术已经正在经历一个戏剧性的变化。鱼翅本身进行了改造。在第一代finFETs,鳍是相对较短和锥形。预计下一波的鳍更高,更薄,更重新…»阅读更多

离子注入机市场升温
通过马克LaPedus8月- 14,2014 -评论:0

离子注入机市场已经稳定,如果不是昏昏欲睡,业务。最后的大事件发生在2011年,当应用材料重新进入离子离子注入机市场通过收购瓦里安,这些工具的全球领先的供应商。收购了离子注入机业务的应用材料占据80%的市场份额,与其他玩家战斗的面包屑。但又一年……»阅读更多

引导先进的流程设计工具
通过欧内斯特·沃斯曼4月- 14,2014 -评论:1

设计实现的复杂度的增加促使制造商优化设计过程。新的工具和技术,由于新一代的硬件和软件,为半导体晶片设计提供了一个新的平台。先进此后铸造厂开发的解决方案,优化设计过程中,利用和重用知识产权(IP)……»阅读更多

克服浅槽隔离
通过凯瑟琳助教- 20,2013 -评论:0

泄漏电流,这样可以防止凯瑟琳Ta相邻晶体管,最先进的芯片功能浅槽隔离(STI)互相孤立的晶体管。STI过程中的关键步骤包括蚀刻硅战壕的模式,沉积介质材料填补战壕,和删除多余的介质使用技术,如化学……»阅读更多

在压力下Fabless-Foundry模型
通过埃德·斯珀林——6月26日,2012 -评论:0

由马克LaPedus半导体路线图曾经是一个光滑的和直接的路径,但芯片制造商面临坎坷的和具有挑战性的骑到20 nm节点迁移。看到地平线上的挑战是3 d堆叠的出现,450毫米晶圆厂,新晶体管结构,多模式和极端紫外线的可疑的可用性(EUV)光刻……»阅读更多

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