中文 英语

评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET器件性能的影响


本文利用SEMulator3D虚拟制造平台构建了一个5nm FinFET流。使用SEMulator3D的模式依赖蚀刻功能研究了不同的STI(浅沟隔离)凹槽轮廓,包括沟槽/地基轮廓、鳍片高度和不平衡鳍片高度的变化。然后研究了STI隐窝轮廓对器件性能的影响。»阅读更多

Baidu