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评估STI休会剖面控制先进FinFET的影响设备的性能


本文5 nm FinFET流建成使用SEMulator3D虚拟制造平台。不同的STI(浅槽隔离)休会概要文件使用SEMulator3D的pattern-dependent腐蚀能力进行调查,包括挖沟的变化/基础概要,翅片高度和翅片高度不平衡。STI休会概要文件对设备性能的影响被调查usi……»阅读更多

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