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评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET器件性能的影响


本文利用SEMulator3D虚拟制造平台构建了一个5nm FinFET流。使用SEMulator3D的模式依赖蚀刻功能研究了不同的STI(浅沟隔离)凹槽轮廓,包括沟槽/地基轮廓、鳍片高度和不平衡鳍片高度的变化。然后研究了STI隐窝轮廓对器件性能的影响。»阅读更多

四周期垂直堆叠SiGe/Si沟道FinFET的制备及其电特性


李勇,赵峰,程旭,刘宏,昝勇,李军,张强,吴震,罗军,王伟。四周期垂直堆叠SiGe/Si通道FinFET的制备及其电特性。纳米材料(巴塞尔)。2021年6月28日;11(7):1689。doi: 10.3390 / nano11071689。PMID: 34203194;PMCID: PMC8307669。在这里找到技术论文。摘要:本论文针对外延厚度的限制和外延厚度的高…»阅读更多

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