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评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET器件性能的影响


本文利用SEMulator3D虚拟制造平台构建了一个5nm FinFET流。使用SEMulator3D的模式依赖蚀刻功能研究了不同的STI(浅沟隔离)凹槽轮廓,包括沟槽/地基轮廓、鳍片高度和不平衡鳍片高度的变化。然后研究了STI隐窝轮廓对器件性能的影响。»阅读更多

纳米电线


在应用材料公司Maydan技术中心拍摄的TEM图像(下图)显示了一系列20纳米宽的横截面沟槽。这些微小的结构——大约是人类头发平均直径的1/5000——类似于下一代微芯片中用于连接数十亿个晶体管的互连。你可以看到每条战壕都有部分被铜填满…»阅读更多

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