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评估STI凹槽轮廓控制对先进FinFET器件性能的影响


本文利用simulator3d虚拟制造平台构建了一个5nm的FinFET流场。利用simulator3d的模式依赖蚀刻功能,研究了不同的STI(浅沟槽隔离)凹槽轮廓,包括沟槽/基础轮廓、鳍片高度和不平衡鳍片高度的变化。研究了STI凹槽形状对器件性能的影响。»了解更多

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