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标签:目前的泄漏

低温CMOS变冷
通过布莱恩•贝利- 2022年8月11日-评论

低温CMOS技术是一项新兴的技术，具有较高的性能和较低的功耗，且制造工艺没有任何变化。现在的问题是它是否可行并成为主流。技术往往看起来就在地平线上，还没有完全实现，但也不会离我们太远。这通常是因为某些问题困扰着它，而激励机制又不足以解决这些问题……»阅读更多

评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET器件性能的影响
通过Coventor- 2021年9月15日-评论

本文利用SEMulator3D虚拟制造平台构建了一个5nm FinFET流。使用SEMulator3D的模式依赖蚀刻功能研究了不同的STI(浅沟隔离)凹槽轮廓，包括沟槽/地基轮廓、鳍片高度和不平衡鳍片高度的变化。然后研究了STI隐窝轮廓对器件性能的影响。»阅读更多

3nm/2nm新晶体管结构
通过马克LaPedus- 2021年1月25日-意见:12

几家代工厂继续开发基于下一代栅极全能晶体管的新工艺，包括更先进的高移动性版本，但将这些技术投入生产将是困难和昂贵的。英特尔，三星，台积电和其他公司正在为从今天的finFET晶体管过渡到新的门全能场效应转换奠定基础。»阅读更多

热保护带日益增长的挑战
通过安Mutschler- 2019年3月18日-评论

随着芯片被应用于各种新的和现有的应用领域，热量防护正变得越来越困难，迫使芯片制造商在日益复杂的相互作用中设计出自己的方法。芯片设计用于在特定温度下工作，通常的做法是开发具有一定余量的设计，以确保在整个操作过程中正确的功能和性能。»阅读更多

近门槛计算
通过布莱恩•贝利- 2016年6月16日-评论:2

物联网(IoT)的出现引起了人们对极低功耗设计需求的大量关注，而这反过来又增加了降低电压的压力。在过去，每一个新的工艺节点都缩小了特征尺寸并降低了标称工作电压。这导致了功耗的下降。然而，在90nm左右，情况发生了两种变化. ...»阅读更多

调整规模的挑战与日俱增
通过埃德·斯珀林- 2016年4月20日-评论:0

芯片架构正变得越来越复杂。有更多的选项可供选择，更多的潜在瓶颈，以及更多关于在哪个流程节点上使用什么流程以及针对哪个市场和价格点的选择。调整尺寸是一种针对特定应用需求的芯片，提供足够的性能，同时最大限度地降低功耗和成本的方法。一直以来……»阅读更多

FinFET学习
通过埃德·斯珀林- 2014年5月8日-意见:0

finfet并不简单。它们很难制造，很难设计，并且存在动态功率密度大幅增加的风险，特别是在14/16nm的情况下，额外的裕度很难证明，这影响了从电迁移到信号完整性的一切。此外，虽然finfet已经在画板上画了十多年，但它只花了四年时间……»阅读更多

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