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评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET器件性能的影响


本文利用SEMulator3D虚拟制造平台构建了一个5nm FinFET流。使用SEMulator3D的模式依赖蚀刻功能研究了不同的STI(浅沟隔离)凹槽轮廓,包括沟槽/地基轮廓、鳍片高度和不平衡鳍片高度的变化。然后研究了STI隐窝轮廓对器件性能的影响。»阅读更多

离子植入器市场升温


离子植入器市场一直是一个稳定的,如果不是死气沉沉的,业务。上一次重大事件发生在2011年,当时应用材料公司收购了全球领先的离子植入器供应商瓦里安,重新进入离子植入器市场。这次收购使应用材料公司占据了植入器业务80%的份额,而其他公司则在争夺微薄的份额。但一年之后……»阅读更多

克服浅沟隔离


为了防止电流在相邻的晶体管之间泄漏,最先进的微芯片采用浅沟槽隔离(STI)来隔离晶体管。STI过程中的关键步骤包括在硅中蚀刻沟槽图案,沉积电介质材料以填充沟槽,并使用化学…»阅读更多

应力下的无晶圆铸造模型


半导体路线图曾经是一条平坦而直接的道路,但芯片制造商在向20nm节点及更远节点迁移时面临着坎坷和挑战。我们所看到的挑战包括3D堆叠、450mm晶圆厂、新的晶体管架构、多模式以及极紫外(EUV)光刻技术的可疑可用性. ...»阅读更多

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