芯片行业的技术论文摘要:2月21日


新技术论文最近添加到半导体工程图书馆:[表id = 82 /]如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合我们的全球观众。至少,论文需要研究和记录,与半导体相关的生态系统,和自由市场的偏见。为我们没有成本……»阅读更多

评论:负电容GAA-FET


最近的一个新的技术论文题为“负电容Gate-All-Around场效应晶体管的发展:回顾”的研究员PKU-HKUST Shenzhen-Hong香港机构和北京大学深圳研究院。“负电容的新型器件结构门周围的场效应晶体管的优点(数控GAA-FET)可以结合GAA-FET NC-FET,和…»阅读更多

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