评论:负电容GAA-FET


最近的一个新的技术论文题为“负电容Gate-All-Around场效应晶体管的发展:回顾”的研究员PKU-HKUST Shenzhen-Hong香港机构和北京大学深圳研究院。“负电容的新型器件结构门周围的场效应晶体管的优点(数控GAA-FET)可以结合GAA-FET NC-FET,和…»阅读更多

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