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标签:棉酚场效应晶体管

晶圆清洗成为制造3D结构的关键挑战
通过阿黛尔神秘圣地- 2022年10月20日-评论:0

晶圆清洗，曾经是一个非常简单的任务，就像将晶圆浸入清洗液中一样简单，现在正成为制造GAA fet和3d - ic的最大工程挑战之一。随着这些新的3D结构——有些即将出现，但有些已经在大批量生产中——半导体晶圆设备和湿式清洗业务的材料供应商处于震中……»阅读更多

热设计
通过凯伦·海曼- 2022年9月13日-评论:0

从电子表到数据中心，热量已经成为各种半导体的主要问题，在高级节点和高级封装中，热量尤其难以消散，这一问题正变得越来越严重。finfet和GAA fet底部的温度可能与晶体管结构顶部的温度不同。它们也可以根据…»阅读更多

涨落源对GAA Si NS mosfet电特性的模拟
通过技术文件链接- 2022年9月7日-评论:0

台湾国立阳明交通大学的研究人员发表了一篇题为“一种机器学习方法来模拟栅极全能硅纳米片mosfet的内在参数波动”的技术论文。“这项研究全面分析了基于ann的ML策略在模拟波动源对GAA Si NS MOSF电特性影响方面的潜力……»阅读更多

结构、晶体管、材料的巨大变化
通过埃德·斯珀林- 2022年8月18日-评论:0

芯片制造商正在为架构、材料以及晶体管和互连等基本结构的根本性变化做准备。最终的结果将是更多的流程步骤，增加每个步骤的复杂性，以及全面上升的成本。在前沿，finfet将在3nm(30埃)节点后的某个地方失去动力。仍在工厂工作的三家铸造厂…»阅读更多

基于同步s射线衍射的Si/SiGe纳米片GAA结构的无损纳米尺度映射
通过技术文件链接- 2022年6月13日-评论:0

IBM T.J.沃森研究中心和布鲁克海文国家实验室的研究人员发表了题为“Si/SiGe纳米片器件几何结构中的机械响应映射”的新研究论文。由美国能源部赞助。“下一代纳米电子器件的性能依赖于对组成材料内部应变的精确理解。然而，增加的灵活性……»阅读更多

下一代芯片推出高选择性蚀刻技术
通过马克LaPedus- 2022年3月21日-意见:0

几家蚀刻供应商开始推出下一代选择性蚀刻工具，为新的内存和逻辑设备铺平了道路。2016年，应用材料公司是第一家推出下一代选择性蚀刻系统(有时被称为高选择性蚀刻)的供应商。现在，Lam Research, TEL和其他人正在运输具有高选择性蚀刻功能的工具，为未来的设备做准备。»阅读更多

晶体管在3nm达到临界点
通过马克LaPedus- 2022年2月23日-评论

半导体行业正在进行十多年来新晶体管类型的首次重大变革，转向称为全门(GAA) fet的下一代结构。虽然GAA晶体管尚未上市，但许多业内专家都想知道这项技术能持续多久，以及会有什么样的新架构取代它。除非有重大延误，今天的GAA…»阅读更多

与3nm的模拟技术角力
通过布莱恩•贝利- 2021年9月9日-评论:0

模拟工程师在3nm工艺上面临着巨大的挑战，这迫使他们在每个新工艺节点上提出创造性的解决方案，以解决越来越多的问题。尽管如此，这些问题必须得到解决，因为任何数字芯片都离不开至少一些模拟电路。随着制造技术的萎缩，数字逻辑在功率、性能和面积的某些组合上得到了改进。这个过程…»阅读更多

用AFMs进行埃级测量
通过马克LaPedus- 2021年8月19日-评论:0

原子力显微镜(AFM)市场的竞争正在升温，几家供应商正在推出新的AFM系统，以解决包装、半导体和其他领域的各种计量挑战。AFM是一个小而发展的领域，它涉及一个独立的系统，可以提供低至埃级的结构表面测量。1埃= 0…»阅读更多

GAA晶体管在3/2nm的影响
通过布莱恩•贝利- 2021年8月16日-评论

随着栅极全能(GAA) fet取代3nm及以下的finfet，芯片行业将迎来晶体管结构的另一次变化，这为设计团队带来了一系列需要充分理解和解决的新挑战。GAA fet被认为是finfet的一个进化阶段，但对设计流程和工具的影响仍然预计是重大的。GAA fet将提供…»阅读更多

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