先进的包装高带宽内存:TSV的影响大小、TSV长宽比和退火温度


技术论文题为“压力问题的垂直连接在3 d高带宽内存应用程序集成”研究人员发表的国家杨明交通大学。文摘:“TSV退火条件下不同尺寸的压力已被调查。自TSV和焊接技术的应用已经展示了一种有前途的方法……»阅读更多

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