巴西圣卡塔琳娜联邦大学的研究人员发表了题为“弥合低压CMOS电路设计和模拟之间的差距”的新技术论文。
摘要
“这项工作提出了一个真正紧凑的MOSFET模型，仅包含四个参数，以协助集成电路(IC)设计师手工设计。四参数模型(4PM)基于先进的紧凑型MOSFET (ACM)模型，并在Verilog-A中实现，用于在verilog兼容模拟器中模拟用ACM模型设计的不同电路。能够通过在手工设计中使用的相同模型来模拟MOS电路，有利于设计师理解主要MOSFET参数如何影响设计。在此，设计了经典CMOS逆变器、环形振荡器、自偏电流源和共源放大器，并使用4PM或BSIM模型进行了仿真。四参数模型在多种电路中进行了仿真，在低压情况下得到了满意的结果。由于物联网和可穿戴电路等应用，超低电压(ULV)领域正在扩大，简化的ULV MOSFET模型的使用也在扩大。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年6月出版。
装饰:;阿尔维斯·内托，D.G.;施耐德,贝拉;盖卢普-蒙托罗，C.弥合低压CMOS电路设计和仿真之间的差距。J.低功率电子。应用:202,12,34。https://doi.org/10.3390/jlpea12020034。
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