设计和模拟低压CMOS电路使用的四个参数模型


新技术论文题为“缩小之间的差距低压CMOS电路的设计和仿真”从圣卡塔琳娜州联邦大学的研究人员,巴西。抽象”这项工作提出了一个真正的紧凑MOSFET模型只包含四个参数来帮助一个集成电路(IC)设计师在设计中。四个参数模型(下午4点)是基于先进的com……»阅读更多

低功耗FinFET的变化设计


搬到一个最大的优势之一前缘流程节点是超低电压操作,设备可以实现更好的性能用更少的力量。但最新一代过程节点还引入一个新的挑战,由于增加了变异可以影响从信号完整性制造业产量。而变化是一般understo……»阅读更多

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