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短通道效应

当信道长度与源极和漏极的耗尽层宽度具有相同的数量级时,它们会导致许多影响设计的问题。
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当通道长度与源极和漏极结的耗尽层宽度具有相同数量级时,就会发生短通道效应。在mosfet中,通道长度必须大于漏极和源极耗尽宽度之和,以避免边缘效应。否则,会出现一些效果。

全球各地大学的一些研究人员引用的影响包括:
1.“Off-state”泄漏电流。
2.冲击电离,一个载流子可以受到其他载流子的影响;
3.速度饱和/迁移率退化;
4.排水障碍降低(DIBL),这是由于排水损耗区侵入河道而引起的;
5.漏极穿通,电流不受栅极电压的影响而流动——如果漏极的电压相对于源极足够高,并且漏极周围的耗尽区域延伸到源极,就会发生这种现象;
6.表面散射;
7.信道长度调制;
8.阈值电压滚转。

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