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互补金属氧化物半导体

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互补金属氧化物半导体(CMOS)是一种半导体系统的制造技术,可用于构建数字电路、存储器和一些模拟电路。该技术基于两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的配对,其中一个是p型晶体管,另一个是n型晶体管。术语金属氧化物半导体是指器件的传统结构,在半导体顶部的氧化物层上有一个金属栅极。如今,金属层大多被多晶硅层所取代。

CMOS的功耗主要有两种方式。当它们开关时,晶体管对之间会有瞬时短路。此外,开关必须消耗它和电路中连接到它的任何其他开关之间的电气连接器上的任何存储电荷(负载电容)。这就是所谓的动态动力。对于较旧的几何图形,这是此类设备消耗的大部分功率。在更现代的设备中,当设备保持相同状态时,第二次功率消耗变得更加重要。这是漏电,可能是总功耗的一个重要百分比。

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