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电阻式存储器(ReRAM/RRAM)

利用电阻迟滞的存储器
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描述

电阻式RAM (ReRAM,也称为RRAM)通过改变材料的电阻来工作。将电流施加到材料上,改变材料的电阻。然后可以测量电阻状态。这种原理被称为“忆阻器”,它依赖于磁滞原理。

它的发明是由惠普实验室的惠普高级研究员R. Stanley Williams发明的,他使用双层二氧化钛薄膜来存储电阻。然而,忆阻器最初是在1971年由加州大学的Leon Chua教授在《IEEE会刊》上发表的一篇开创性论文中提出的。喷气推进实验室在1990年发表了一篇题为“用于电子神经网络的固态薄膜电阻”的文章。本文报道了一种基于氧化钨的非易失性、电可编程、可变电阻器件作为电子神经网络的模拟突触记忆连接。

寻找合适的材料和测量电池电阻状态的工作仍在进行中。这项技术有望比闪存更小,并克服了续航问题。它还具有更快的写入速度,甚至可以与DRAM相媲美。


记忆电阻网络

非易失性存储器与存储技术进展(电子与光学材料出版系列)


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