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推断统计学,Stochastic-Induced缺陷

随机变量在芯片EUV光刻引起缺陷。
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描述

极端紫外线(EUV)光刻技术推断统计学是随机变量的事件。这些变化,称为随机效应,有时导致芯片的缺陷和模式粗糙度。既会影响芯片的性能,甚至导致设备失败。

在EUV,随机效应是一个大问题,他们已经成为更多的问题在每个节点。好消息是,行业已找到方法来缓解该问题通过提高抵制和过程。但是stochastic-induced缺陷可以出现,为铸造供应商和客户都创造了头痛。

左右10 nm或7 nm节点,随机变化的主要来源模式的变化。这主要是因为所有的其他来源的差异越来越小。随机变化没有——或者至少它没有收缩或一样快。它成为一个更大比例的总预算,我们允许变化。

在操作中,一个EUV扫描仪应该创建各种模式芯片,如小接触孔,线,和通过,具有良好的一致性。但有时,扫描仪可能无法模式所需的线,称为换行。扫描仪有时无法打印的一个或多个接触孔,称为失踪的联系。在其他情况下,这个过程会导致一个或多个孔合并,有时被称为“接吻接触。”

换行Stochastics-induced缺陷,缺少联系,和亲吻接触被认为是stochastic-induced缺陷。另一个随机效应是直线边缘粗糙度(l)。l是定义为一个偏离理想形状的功能优势。它是有问题的,因为它不与特征尺寸规模。

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