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FinFET的细胞感知测试

处理finfet特定缺陷机制的细胞感知测试方法。
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描述

细胞感知测试方法非常适合于解决finfet特有的缺陷机制。考虑一个有三个鳍的FinFET晶体管。研究表明,这种晶体管应该考虑两种缺陷类型:迫使晶体管部分或完全打开的泄漏缺陷,以及迫使晶体管部分或完全关闭的驱动强度缺陷。
泄漏缺陷可以通过在晶体管的三个翅片的栅极(从漏极到源极)上放置一个电阻来分析,如下图所示。在细胞感知的表征过程中,在给定的库单元中,对所有finfet的所有电阻进行不同的电阻值模拟模拟。对于单周期和双周期测试,都必须进行详尽的模拟模拟,因为许多电阻性缺陷只会对晶体管的响应和电池的输出造成小的额外延迟。

驱动强度缺陷可以通过在漏极和每个鳍片的栅极之间以及源和鳍片的栅极之间放置一个电阻来分析,如下图所示。与泄漏缺陷一样,对每个电阻进行不同电阻值的模拟模拟。同样,必须模拟单周期和双周期测试,以检测与延迟相关的影响。

发现的任何其他与finfet相关的缺陷类型都可以以类似的方式处理。单元感知方法所使用的模拟缺陷模拟的通用方法使得这一点很简单。

一旦单元库描述完成,结果就是一个可以与ATPG工具一起使用的UDFM模型。读取UDFM文件后,ATPG单元格感知模式创建过程与任何其他故障模型类似。

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