中文 英语
知识中心
导航
知识中心➜实体

MoSys公司。

内存IP开发人员
受欢迎程度

描述

MoSys成立于1991年,开发、授权和销售半导体内存技术。MoSys公司声称,他们的1T-SRAM专利技术提供了高密度、低功耗、高速和低成本的结合。在使用相同的标准逻辑制造工艺的情况下,1T-SRAM存储器中使用的单个晶体管位单元使该技术实现了比传统的4或6个晶体管sram更高的密度。1T-SRAM技术还为与传统sram相关的随机地址访问周期提供了熟悉的、免刷新的界面和高性能。此外,与传统的SRAM技术相比,这些技术可以将运行功耗降低四倍,有助于使其成为在片上系统(SoC)设计中嵌入大内存的理想选择。MoSys的授权方已经交付了超过6500万枚采用1T-SRAM嵌入式内存技术的芯片,在广泛的硅工艺和应用中展示了出色的可制造性。
2015年2月26日-宣布打算在纳斯达克交易所以MOSY的股票代码出售普通股

  • 总部:美国加州森尼维尔市
  • 已知:内存,1T SRAM
  • 网络:URL
  • 其他名称:单片系统科技有限公司
  • 类型:公司

子公司:


Baidu