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流程功率优化

流程级的功率优化技术
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Multi-Vth:使用多阈值库,单个逻辑门使用低开关阈值(高泄漏更快)或高开关阈值(低泄漏更慢)的晶体管。
衬底偏压(本体偏压或后偏压): PMOS中的衬底偏置使晶体管主体偏置到高于V的电压dd;在NMOS中,到比V低的电压党卫军

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