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隧道场效应晶体管

一种正在开发的晶体管,可以在未来的工艺技术中取代finfet。
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描述

目前针对5nm节点,隧道场效应晶体管(TFET)是一种陡峭的亚阈值斜率晶体管,可以将电源电压扩展到1伏以下,甚至可能低至0.5伏以下。tfet可以出现在2D和3D配置。它们可能基于大块CMOS或硅绝缘体(SOI)技术。该TFET类似于今天的mosfet,但TFET实际上是一个门控二极管,利用电子隧道技术。理论上,tfet可以在比当前和未来的finfet更低的电压下开关。TFET以反向偏压方式工作。tfet利用电子通过势垒的带对带隧穿,而不是像mosfet那样在势垒上流动。

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