为什么3D设备模拟对于最大限度地提高性能至关重要。
二维mosfet已被证明很难缩小到20nm及以上。取而代之的是3D FinFET晶体管，这种新型器件可以缩小节点尺寸。10nm工艺finFET用于SoC产品的量产，研究正在向7nm工艺finFET发展。FinFET晶体管提供更低的动态功耗(由于更平坦的I-V曲线)，改善对短通道效应的控制，减少泄漏电流，优越的开/关对比度，最重要的是，比2d MOSFET技术更少的每个晶体管晶圆面积。
不幸的是，从平面到finFET技术的过渡带来了3D器件几何结构固有的变异性的新来源。3D器件模拟是一个非常有用的工具，可以研究这种可变性对器件性能的影响。3D模拟被广泛用于分析和优化MOSFET特性，如阈值电压、开/关电流、次阈值摆动和由于翅片几何形状、掺杂浓度和其他3D器件几何变化而导致的漏极诱导势垒降低。此外，可以使用SEMulator3D等半导体工艺模拟平台来探索工艺分布和粗糙度随机波动的影响。
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