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标签:短沟道效应

新材料为新设备打开大门
通过凯瑟琳德比郡- 2022年7月21日-意见:0

将二维材料集成到传统半导体制造工艺中，可能是芯片工业历史上最根本的变化之一。虽然在半导体制造中引入任何新材料都会带来痛苦和痛苦，但过渡金属二硫化物(TMDs)支持各种新的器件概念，包括BEOL晶体管和单…»阅读更多

晶圆代工厂为22nm制程做准备
通过马克LaPedus- 2018年11月19日-评论:0

在过去一两年推出了新的22nm工艺后，晶圆代工厂正在加速这项技术的生产，并准备摊牌。GlobalFoundries、英特尔、台积电和联华电子正在开发和/或扩大他们在22纳米技术上的努力，有迹象表明，这一节点可以为汽车、物联网和无线等应用带来大量业务。但代工客户面临着一些艰难的选择……»阅读更多

了解大体积FinFET器件性能变异性的影响
通过Coventor- 2018年5月30日-意见:0

二维mosfet已被证明很难缩小到20nm及以上。取而代之的是3D FinFET晶体管，这种新型器件可以缩小节点尺寸。10nm工艺finFET用于SoC产品的量产，研究正在向7nm工艺finFET发展。FinFET晶体管提供更低的动态功耗(由于更平坦的I-V曲线)，改进的控制…»阅读更多

批量CMOS Vs. FD-SOI
通过马克LaPedus- 2016年5月19日-意见:2

芯片市场的领先优势越来越多地出现分歧，即是转向finfet，还是使用不同的材料，甚至可能采用先进的封装，保持在28nm。关于采用哪种方法的决定通常归结为性能、功率、外形因素、成本和单个技术的成熟度。所有这些都因市场、供应商和流程而异……»阅读更多

FinFET的推出慢于预期
通过马克LaPedus- 2015年4月16日-评论

代工业务正在升温，因为一些新的和大型的参与者正在进入16nm/14nm [getkc id="185" kc_name="finFET"]市场。但由于一些技术和成本问题，代工客户迁移到finfet所需的时间比预期的要长。在代工方面，[getentity id="22846" comment="Intel"]在finfet领域已经有一段时间是唯一的玩家。但是现在，[getentity id="22865"…»阅读更多

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