虚拟制造带来什么finFET的一代。
纯粹的几何比例的晶体管结束在90纳米(纳米)的时代。从那时起,大多数电力/性能和面积/成本的改进来自结构和材料的创新。绝缘体(SOI),第一个“部分耗尽”和最近“完全耗尽”以及嵌入式压力,High-K /金属门(HKMG)现在FinFETs示例所需的技术创新,继续扩展90纳米以下。虚拟制造与Coventor SEMulator3D 2013流程建模平台提供功能,减少所需的时间和资源来开发先进技术通过预测设计技术建模、变异分析和定量数据提取。这个白皮书展示了虚拟制造能力通过假设FinFET技术发展的例子。
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