标签:HKMG

MAC操作28 nm High-k金属门FeFET-based内存数组与ADC(弗劳恩霍夫ipm / GF)
通过技术论文链接——2022年12月1日电——评论:0

技术论文题为“Multiply-Accumulate操作示范与28 nm FeFET横梁数组”被弗劳恩霍夫ipm和GlobalFoundries的研究人员发表。抽象的“这封信报告一个线性multiply-accumulate (MAC)操作进行一个横梁内存数组基于28 nm high-k金属门(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电fi……»阅读更多

五个DAC关键提示
通过布莱恩•贝利- 7月17日,2018 -评论:0

摩尔定律的结局可能会创建一个新的黄金时代的设计,特别是受人工智能和机器学习。但设计将成为任务、应用程序和特定领域,并将要求我们考虑产品的生命周期在不同的方式。在未来,我们也将不得不设计经验的增加,不仅自动化……»阅读更多

FeFETs是什么?
通过马克LaPedus2017年2月- 16(-评论:1

内存市场会在几个不同的方向。在一个方面,传统的内存类型,这样的DRAM和闪存,仍然是主力技术系统尽管在商业经历一些变化。然后,一些供应商准备下一代记忆类型的市场。进行的一个系列,半导体工程将探索新…»阅读更多

与SEMulator3D FinFET Front-End-of-Line (FEOL)过程集成
通过Coventor- 10月19日,2016 -评论:0

纯粹的几何比例的晶体管结束在90纳米(纳米)的时代。从那时起,大多数电力/性能和面积/成本的改进来自结构和材料的创新。绝缘体(SOI),第一个“部分耗尽”和最近“完全耗尽”以及嵌入式压力,High-K /金属门(HKMG)和现在FinFETs是技术创新的例子…»阅读更多

近门槛计算
通过寻找卡普尔9月- 13,2012 -评论:0

Bhanu Kapoor有两个主要因素权力成为一个大问题(“权力墙”)开始在65 nm制程技术。首先,快速增长的漏组件成为动态功率一样重要。其次,扩展的电源电压1.1伏左右停止。HKMG等工艺技术的进步和3 d三栅极晶体管使反对……»阅读更多

FinFETs的麻烦
通过乔安妮Itow8月- 16,2012 -评论:0

由乔安妮Itow行业寻求继续摩尔定律定义的半导体的路线图已经导致了一个新的晶体管结构的采用。你是否称之为finFETs,三栅极或3 d晶体管,构建这些新设备是很困难的。但是只有一半的技术挑战。2002年,陈明胡* Semico峰会上发表讲话。演讲的题目是�…»阅读更多

所有的指标都预示着北
通过埃德·斯珀林- 6月28日,2012 -评论:0

设计和生产芯片一直是困难的,但是东西合起来难度的数量在20纳米半导体行业的历史上最长的。列表越来越长还会在14海里以外,更不用说那么贵,一个错误会杀了一个公司。虽然系统工程师和建筑师看在前端的挑战,这些问题……»阅读更多

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