操作水平附近当晶体管关闭在一个可以节省大量的力量,但它不是简单的东西。
通过寻找卡普尔
有两个主要因素权力成为一个大问题(“权力墙”)开始在65 nm制程技术。首先,快速增长的漏组件成为动态功率一样重要。其次,扩展的电源电压1.1伏左右停止。
HKMG等工艺技术的进步和3 d三栅极晶体管使持续扩展和更有效地处理功率泄漏,但基本上恒定的动态功率继续因供应过程技术代从65纳米到最近被英特尔22纳米技术。更糟的是,动态功率二次对电源电压的依赖。缓解来自dvf等使用的技术,这让你以20%到30%的低电压操作。
在今年的2月份globalfoundries,英特尔提出了数篇论文讨论芯片操作在近门槛电压。晶体管的阈值电压的电压电平开关。如果我们可以开关位附近的有效电压相比,可以更高效的操作开关的部分更大的波动。事实上,一个数量级的电能节约是有可能的。
但也有一些重大挑战在实现近门槛操作。第一个是一个重大的性能损失,类似一个因素或权力比收益。这个行业已经采取并行的路线来提高性能,这建议更激进的并行性。创新过程中技术、电路设计技术,或两者的结合有助于提高性能,这就变成了一个有吸引力的选择power-sensitive市场第一。
还有一个问题阈值附近的高可变性的操作。这是一个问题,获得更好的控制你的工艺。技术这类自适应身体偏置可以帮助管理变化相关的泄漏问题。
操作阈值附近也导致显著增加功能性故障阈值附近操作时,尤其是对记忆的元素。这需要更复杂的冗余技术和新颖的电路技术来解决问题。
尽管其中一些挑战,关于近门槛计算一个有吸引力的一点是它允许芯片功率和性能在规模更大范围的操作。这种灵活性将优化整个系统的功率需求,不仅对power-sensitive市场前沿的手持设备也计算市场。
Mimasic·巴努·卡普尔是总统,低功耗。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复