3 d晶体管技术只是挑战的一半;其余的压力把它安装在铸造模型。
由乔安妮Itow
行业寻求继续半导体路线图由摩尔定律定义了一个新的晶体管结构的采用。你是否称之为finFETs,三栅极或3 d晶体管,构建这些新设备是很困难的。但是只有一半的技术挑战。
2002年,陈明胡* Semico峰会上发表讲话。演讲的题目是“未来的半导体缩放。“在2002年,胡锦涛指出,台积电已经制作35纳米CMOS晶体管FinFET台积电的生产工具和预期技术将可9 nm。十年运行和英特尔首次运行22纳米常春藤桥使用三栅极技术产品。从技术角度来看,FinFETs现在被证明是可执行批量生产。但是我们应该从市场的角度看这个吗?
当铸造厂将准备坡道FinFET技术批量生产吗?更重要的是,当将铸造客户实际准备充分利用技术?直到最近,最先进的专用铸造厂计划引入FinFETs 14纳米技术。看来,进度有所加快。台积电是谈论一个16 nm节点与FinFETs过渡。GlobalFoundries刚刚宣布的胳膊低功耗处理器的发展设计了20 nm和finFET过程技术针对soc包括图形处理器。这个不提交GlobalFoundries finFETs 20海里,但它确实提供了一些选项。
半导体单位继续增长,而晶片需求增加对吧。任何新技术,使改进或新的电子应用程序应该实现。不幸的是,它并不那么容易。新的消费市场价格敏感。创新技术的引入必须考虑市场竞争,体积,成本和适当的应用程序。
下面的图介绍了晶片需求假设finFET采用20 nm和14 nm。尽管这幅图描绘了一个“全或无”场景,如果finFETs采用行业22 nm / 20 nm这可能意味着一个显著差异在整个晶片用于生产finFET的产品。
下列图表添加一行比较与采用HKMG finFET收养。英特尔也是第一个实现HKMG 45 nm节点。GlobalFoundries,三星推出了HKMG 32 nm。台积电开始增加HKMG其28 nm制程生产在2011年,英特尔近四年后。
智能手机和平板电脑市场继续增长和超便携个人电脑市场开始起飞。当铸造厂过渡到20 nm,能力坡道必须远远大于HKMG坡道的32 nm / 28 nm。填充这些市场需求将是一个挑战。介绍了28 nm台积电时,客户可以选择聚兑HKMG /锡安门堆栈。有阻尼效应的卷HKMG晶片早期斜坡的28 nm。当公司开始推出20 nm产品,再次有几个选项。一些公司可能会切换到finFETs。台积电计划坚持大部分平面结构。替代大部分平面,还有一个全耗尽SOI选项。finFETs是否在20 nm, 16或14 nm, Semico相信他们的坡道将被证明是另一个测试的铸造模型。
额外的数据对晶片需求的产品技术,请访问Semico的网站制造业研究的当前列表。
*陈明胡锦涛目前微电子加州大学的特聘教授,加州大学伯克利分校。Semico峰会演讲的时候在2002年,他是台积电的首席技术官。
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复