标签:high-k金属门

MAC操作28 nm High-k金属门FeFET-based内存数组与ADC(弗劳恩霍夫ipm / GF)
通过技术论文链接——2022年12月1日电——评论:0

技术论文题为“Multiply-Accumulate操作示范与28 nm FeFET横梁数组”被弗劳恩霍夫ipm和GlobalFoundries的研究人员发表。抽象的“这封信报告一个线性multiply-accumulate (MAC)操作进行一个横梁内存数组基于28 nm high-k金属门(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电fi……»阅读更多

替换门High-k /金属门nMOSFETs使用自对准Halo-Compensated通道植入
通过联华电子- 6月16日,2021 -评论:0

设备设计技术提高输出电阻(崩溃)的特点长水道halo-doped nMOSFETs替换门(RMG) high-k /金属门(香港/毫克)设备提出了基于数值模拟。我们表明,自对准halo-compensated通道植入(HCCI)后进行虚拟多晶硅栅除提供传统光环掺杂补偿……»阅读更多

在22纳米铸造厂准备战斗
通过马克LaPedus11月19日,2018 -评论:0

之后引入新的22纳米工艺在过去的一两年,铸造厂是准备生产技术准备摊牌。GlobalFoundries,英特尔,台积电和联华电子正在开发和/或扩大他们的努力在22纳米迹象这个节点可以产生大量的业务应用程序(如汽车、物联网、无线。但铸造客户面临一些艰难choic……»阅读更多

一个新的记忆的竞争者?
通过马克LaPedus1月- 02年,2018 -评论:1

势头正在建设的一个新类铁电记忆可能会改变下一代记忆的风景。一般来说,铁电体与内存类型称为铁电相关联公羊(弗拉姆号)。几家供应商在1990年代末推出,弗拉姆号是低功耗,非易失性的设备,但他们也限于利基应用程序和无法规模超过130海里。虽然……»阅读更多

10 nm FinFETs崎岖不平的道路
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:0

铸造供应商目前增加16 nm / 14 nm (getkc id = " 185 " kc_name =“finFET”)市场的过程。供应商正在彼此的业务领域,虽然从平面迁移finFETs预计将是一个缓慢而昂贵的过程。然而,尽管在16 nm / 14纳米的挑战,供应商正在准备下一个战斗在铸造流行10 nm点头……»阅读更多

锗wedge-FETs撬不适应环境的混乱
通过凯瑟琳德比郡1月23日,2014 -评论:1

任何替代渠道集成方法必须考虑硅和其他通道材料晶格不匹配。一些计划,比如IMEC的选择性外延,认为晶格失配一个障碍,寻找方法来减少它的影响。这种观点肯定有优点:不合群混乱显著降低晶体管性能。然而,早在2011年Shu-Ha……»阅读更多

FinFETs的麻烦
通过乔安妮Itow8月- 16,2012 -评论:0

由乔安妮Itow行业寻求继续摩尔定律定义的半导体的路线图已经导致了一个新的晶体管结构的采用。你是否称之为finFETs,三栅极或3 d晶体管,构建这些新设备是很困难的。但是只有一半的技术挑战。2002年,陈明胡* Semico峰会上发表讲话。演讲的题目是�…»阅读更多

设计成一个铸造低功耗High-k金属门28纳米CMOS的解决方案
通过不同的作家- 7月31日,2012 -评论:0

28 nm超级低功率的低功耗CMOS提供了大量硅衬底为移动消费者和数字消费者应用程序。28 nm制程技术将成为新一代的便携式电子设备的基础,有能力处理流媒体视频、数据、语音、社交网络和移动商务的应用程序。查看本白皮书,按…»阅读更多

所有的指标都预示着北
通过埃德·斯珀林- 6月28日,2012 -评论:0

设计和生产芯片一直是困难的,但是东西合起来难度的数量在20纳米半导体行业的历史上最长的。列表越来越长还会在14海里以外,更不用说那么贵,一个错误会杀了一个公司。虽然系统工程师和建筑师看在前端的挑战,这些问题……»阅读更多

28 nm HKMG的挑战
通过不同的作家——6月26日,2012 -评论:0

28 nm超级低功率(28 nm-slp)的低功耗CMOS提供交付是大部分硅衬底为移动消费者和数字消费者应用程序。这项技术有四个Vt的(高、常规、低和超低)设计的灵活性和多通道能力和提供最终的长度在小模具尺寸和低成本。多个存储器位细胞高密度和high-performanc……»阅读更多

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