标签:finFET

CMOS的历史
通过保罗McLellan- 5月25日,2023 -评论:0

CMOS已经存在了大约50年以来,一个全面的历史书。这个博客关注我认为主要的过渡。之前NMOS CMOS, NMOS(也办公室,但我没有直接的经验)。NMOS门由一个网络之间的N-transistors输出和Vss,和一个电阻(实际上一个晶体管植入)之间的产出和…»阅读更多

金属门休会剖面的影响在晶体管电阻和电容
通过Pradeep Nanja——5月18日,2023 -评论:0

在逻辑器件如finFETs(场效应晶体管),金属门寄生电容可以产生负面影响电气性能。减少寄生电容的方法之一是优化金属门休会维度。然而,有限制减少电容如果你简单地删除更多的金属材料,因为这可以修改电容通过陈意外……»阅读更多

沉积和蚀刻技术来降低半导体金属线的阻力
通过蒂莫西·杨4月- 20,2023 -评论:0

铜的电阻率取决于它的晶体结构,孔隙体积,晶界和材料接口不匹配,它变得越来越重要的在较小的尺度上。铜的形成(铜)电线通常是由二氧化硅材料蚀刻槽模式在性能使用沟腐蚀过程,随后通过波纹与铜填充沟流。不幸的是,这种冰毒……»阅读更多

IEDM:台积电N3细节
通过保罗McLellan- 1月26日,2023 -评论:0

我参加了12月在旧金山IEDM。有两个演示台积电的N3的过程。这实际上是有点用词不当,因为台积电有两个N3流程,一个简单的称为N3。另一个叫N3E(第二代)。两篇论文是:关键过程特性使积极联系门距扩展为3纳米CMOS技术和超过3纳米CMOS FinFl……»阅读更多

自动布局目标发生器提出布局先进FinFET-Based全定制电路(UT奥斯汀/ NVIDIA)
通过技术论文链接12月- 15,2022 -评论:0

技术论文题为“AutoCRAFT:布局定制电路的自动化先进FinFET技术”研究人员发表的UT奥斯汀和英伟达。”自动布局提出AutoCRAFT发电机目标提出布局先进FinFET-based全定制电路。AutoCRAFT使用专业place-and-route(不)算法来处理各种设计缺点…»阅读更多

小说Multi-Independent闸控FinFET技术
通过技术论文链接- 08年11月,2022 -评论:0

新技术论文题为“小说的特点与Multi-Enhanced操作FinFET盖茨(MEOG FinFET)”是常州大学的研究人员发表的。文摘:“这项研究说明了一种新型设备。整合鳍场效应晶体管(FinFETs)与当前绝缘体(SOI)晶圆制造先进的特定的设备提供了一个很好的平台…»阅读更多

L-FinFET神经元的高度可伸缩的电容式神经网络(韩科院)
通过技术论文链接- 10月31日,2022 -评论:0

新技术论文题为“人工神经元位于鳍形场效应晶体管有漏缝的高度可伸缩的电容式神经网络”由韩科院的研究人员发表(韩国先进科学技术研究所)。“在商业化的闪存,隧道氧化防止被指控逃避更好的记忆能力。在我们提出FinFET神经元,t…»阅读更多

低温CMOS变得凉爽
通过布莱恩•贝利8月11日,2022 -评论:1

低温CMOS技术的尖端,承诺更高的性能和更低的能力没有改变制造工艺。现在的问题是它成为可行的和主流。技术通常似乎只在地平线上,不让它,但从来没有在看不见的地方太远。这通常是因为一些问题困扰,激励不够大来解决……»阅读更多

芯片在第三维度
通过Krishnan Shrinivasan- 6月16日,2022 -评论:0

每隔几个月,新的和改进的电子产品。他们通常较小,聪明,更快,有更多的带宽、功耗小,等等——所有由于新一代的先进芯片和处理器。我们的数字社会期待这种新设备的稳定滴,明天太阳会升起一样确定。在幕后,然而,工程师正在feve型……»阅读更多

Emulation-Centric SoC设计的功率分析
通过Lauro Rizzatti- 09年6月,2022 -评论:0

验证专家Lauro Rizzatti最近采访了让-玛丽•深色,高级营销总监,可伸缩的验证解决方案部门(SVSD),西门子EDA,准确的功率估计和优化的重要性SoC (SoC)的设计。当今半导体工业面临的问题是什么关于pre-silicon功率估计?问题在于discrep……»阅读更多

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