标签:finFET

芯片在第三维度
通过Krishnan Shrinivasan- 6月16日,2022 -评论:0

每隔几个月,新的和改进的电子产品。他们通常较小,聪明,更快,有更多的带宽、功耗小,等等——所有由于新一代的先进芯片和处理器。我们的数字社会期待这种新设备的稳定滴,明天太阳会升起一样确定。在幕后,然而,工程师正在feve型……»阅读更多

Emulation-Centric SoC设计的功率分析
通过Lauro Rizzatti- 09年6月,2022 -评论:0

验证专家Lauro Rizzatti最近采访了让-玛丽•深色,高级营销总监,可伸缩的验证解决方案部门(SVSD),西门子EDA,准确的功率估计和优化的重要性SoC (SoC)的设计。当今半导体工业面临的问题是什么关于pre-silicon功率估计?问题在于discrep……»阅读更多

芯片短缺的尽头吗?
通过马克LaPedus——11月18日,2021 -评论:2

当前半导体和集成电路包装短缺预计将延续到2022年,但也有迹象表明,供应可能最终赶上需求。这同样适用于制造能力、材料和设备在半导体和包装行业。尽管如此,经过一段时间的短缺在所有领域,当前学派是芯片5…»阅读更多

本研究垂直堆叠锗硅/ Si通道FinFET制造及其电特性
通过技术论文链接- 8月28日,2021 -评论:0

李Y,赵F,程X,刘H,攒Y,李J,张问,吴Z,王罗J, w .本研究垂直堆叠锗硅/ Si通道FinFET制造及其电特性。纳米材料(巴塞尔)。2021年6月28日,11 (7):1689。doi: 10.3390 / nano11071689。PMID: 34203194;PMCID: PMC8307669。在这里找到技术论文。文摘”,解决外延厚度限制和高…»阅读更多

推进到3 nm节点和超越:技术,挑战和解决方案
通过迈克尔Hargrove8月19日,2021 -评论:0

似乎昨天finFETs被缩小设备比例限制的答案长度和所需的静电学门。finFETs开始在22 nm节点的引入,并一直持续到7 nm节点。除了7海里,它看起来像nanosheet设备结构将用于至少5 nm,可能3 nm节点。nanosheet设备结构brainc……»阅读更多

Angstrom-Level与afm测量
通过马克LaPedus8月19日,2021 -评论:0

竞争升温的原子力显微镜(AFM)市场,一些供应商航运新的AFM系统解决各种计量问题在包装、半导体等领域。AFM,一个规模虽小但增长领域,已在雷达下,包括一个独立的系统,提供表面测量结构到埃水平。(1埃= 0…»阅读更多

过程使用虚拟制造设备性能的差异分析——方法证明了在CMOS 14纳米FinFET车辆
通过Coventor- 8月18日,2021 -评论:0

演示了一个新的方法来评估固有的影响制造过程的可变性在14纳米鳍场效应晶体管(FinFET)设备性能。FinFET设备建成的模型使用虚拟设备制造和测试。模型随后校准实验设计角落案例数据被收集在有限数量的半导体晶片加工。W……»阅读更多

英特尔/ GF交易:优点,缺点,未知数
通过马克LaPedus——7月22日,2021 -评论:1

行业仍在《华尔街日报》的一份报告说,英特尔正在洽谈收购GlobalFoundries (GF)为300亿美元。这是一个星期以来报告出现了。英特尔仍然是妈妈。女朋友说没有谈判发生。无论如何,值得观察以防所有可能的场景,和所涉及的利弊。有一层在层的铁……»阅读更多

芯片的传感和PVT监控:不仅仅是一个保险政策
通过拉姆齐·艾伦2021年5月- 11 -评论:0

你不会开一辆昂贵的车没有保险或在飞机飞行没有执行仪表和控制表面检查。为什么你会设计一个数百万美元的风险高级半导体器件节点没有确保你知道,并且能够管理、动态条件,有可能成就或者毁掉一个硅产品?先进的……»阅读更多

传感器将在soc增殖
通过蒂姆Penhale-Jones10月- 15,2020 -评论:0

没有人喜欢被当场,而我们都像个预测…我们都知道,只有保证预测是错误的。体育评论家为自己开拓出一个特殊的地位与“评论员诅咒:“就像他们颂扬的美德个人或一个团队,体育神在壮观的方式证明他们错了!政府没有更好的:经济…»阅读更多

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