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金属门休会剖面的影响在晶体管电阻和电容


在逻辑器件如finFETs(场效应晶体管),金属门寄生电容可以产生负面影响电气性能。减少寄生电容的方法之一是优化金属门休会维度。然而,有限制减少电容如果你简单地删除更多的金属材料,因为这可以修改电容通过陈意外……»阅读更多

建立预测和精确的3 d流程模型


过程工程师和集成商可以使用虚拟流程建模测试替代流程方案和体系结构不依赖wafer-based测试。建立一个精确的流程模型的一个重要方面是确保模型校准。拥有一个校准模型很重要,因为它提供了保证流程集成商和工程师,该模型将仿佛…»阅读更多

挑战和解决方案硅片斜在3 d NAND闪存制造缺陷


随着半导体技术的尺度大小,流程集成的复杂性和缺陷增加3 d NAND闪存,部分由于大堆栈存款和厚度变化之间的晶圆中心和晶片边缘。业内人士正在努力减少缺陷密度在晶片边缘提高整体晶片产量。注意力都集中在常见的晶圆斜角缺陷年代……»阅读更多

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