Zeta-20光学性能分析提供了一种快速、无损测量方法的概要文件和深度高纵横比战壕的滞后效应的反应离子刻蚀(RIE)。
需求的准确表征高纵横比等几何图形缩小差距,深沟或深孔出现在许多技术和产业。各种计量技术已经用来满足这些需求。这种类型的候选人计量中,三维光学分析表征在过程控制变得越来越普遍。由于它的非破坏性测量方法和优秀的数据准确性,光学分析尤其有利的样品。
在这个应用程序中,深沟不同宽度的蚀刻到硅用反应离子刻蚀(RIE)。RIE过程是广泛应用于工业,但这些过程可以高度复杂的发展。临界尺寸,长宽比和位置影响腐蚀速率,过程开发的核心。的RIE蚀刻深度如何变化的函数特性尺寸如图1所示。这种现象被称为RIE滞后或ARDE(纵横比依赖腐蚀),它经常发生在精密加工的过程。
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