新技术论文题为“电阻开关和电流传导机制六角氮化硼阈值记忆电阻器与镍电极”被亚琛工业大学的研究人员发表和彼得Gruenberg研究所。
文摘:
“2 d绝缘材料六角氮化硼(h-BN)备受关注的记忆性的活性介质设备由于其良好的物理性能,其中,一个宽禁带,使大量切换窗口。金属丝的形成通常是建议h-BN设备作为电阻(RS)切换机制,通常由高度专业化的方法,如导电原子力显微镜(C-AFM)和透射电子显微镜(TEM)。这里,多层六角氮化硼(h-BN)的切换阈值记忆电阻器有两个镍(镍)电极通过他们当前的传导机制研究。分析了高和低电阻状态通过与温度有关的电流电压测量。镍丝的形成和收缩h-BN硼缺陷提出了电影作为电阻切换机制。电气与TEM分析数据证实,以建立与温度有关的电流电压测量作为一个有价值的工具,用于分析记忆电阻器的电阻转换现象制成的二维材料。记忆电阻器展览范围宽,可调电流操作和低待机电流,符合艺术的状态h-BN-based阈值开关、低cycle-to-cycle变异的5%,和一个大开/关比107”。
找到这里的技术论文。2023年5月出版。
Volkel, L。,布劳恩,D。,Belete, M。,Kataria, S。,Wahlbrink, T。,跑,K。,Kistermann, K。,Mayer, J。,门泽尔,S。,道,一个。,让我,m . C。,电阻开关和电流传导机制六角氮化硼阈值记忆电阻器与镍电极。放置功能。板牙。2023年,2300428。https://doi.org/10.1002/adfm.202300428。
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