六角氮化硼记忆电阻器与镍电极:电流传导机制和电阻转换行为(亚琛工业)


新技术论文题为“电阻开关和电流传导机制六角氮化硼阈值记忆电阻器与镍电极”被亚琛工业大学的研究人员发表和彼得Gruenberg研究所。文摘:“2 d绝缘材料六角氮化硼(h-BN)备受关注的记忆性的活性介质设备由于我…»阅读更多

混合架构基于二维数组忆阻器横梁和CMOS集成电路计算边缘


抽象”集成电路的制造(ICs)使用二维(2 d)材料是半导体行业未来十年的主要目标,因为它可能允许延长摩尔定律,艾滋病在内存中计算,使先进的制造设备超出常规的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。然而,大多数与电路有关的恶魔……»阅读更多

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