标签:六方氮化硼

六角氮化硼记忆电阻器与镍电极:电流传导机制和电阻转换行为(亚琛工业)
通过技术论文链接2023年5月- 06 -评论:0

新技术论文题为“电阻开关和电流传导机制六角氮化硼阈值记忆电阻器与镍电极”被亚琛工业大学的研究人员发表和彼得Gruenberg研究所。文摘:“2 d绝缘材料六角氮化硼(h-BN)备受关注的记忆性的活性介质设备由于我…»阅读更多

大面积材料二维六角氮化硼的合成,改善石墨烯的设备特征
通过技术论文链接- 08年3月,2023 -评论:0

新技术论文题为“大面积多层六角氮化硼的合成和转移增强石墨烯器件阵列”被九州大学的研究人员发表,国家先进工业科学技术(产业)和大阪大学。抽象的“多层六角氮化硼(hBN)可以用来保护的内在物理properti……»阅读更多

二维半导体材料蠕变对制造业
通过凯瑟琳德比郡2023年2月- 16(-评论:0

随着晶体管规模,他们需要薄渠道实现足够的通道控制。不过,在硅表面粗糙度散射降低流动性,限制最终通道厚度约3海里。二维过渡金属dichalcogenides (tmd),如二硫化钼和WSe2有吸引力的部分原因是他们避免此限制。没有平面外晃来晃去的债券和在…»阅读更多

研究部分:4月5日
通过杰西·艾伦- 05年4月,2022 -评论:0

创建量子位散装研究者从英特尔和QuTech,代尔夫特理工大学的研究所和荷兰应用科学研究组织(TNO),建立了一个量子位使用标准的半导体生产设备。量子位基于单个电子的自旋捕获在一个硅纳米设备,类似于传统晶体管……»阅读更多

混合架构基于二维数组忆阻器横梁和CMOS集成电路计算边缘
通过技术论文链接- 1月27日,2022 -评论:0

抽象”集成电路的制造(ICs)使用二维(2 d)材料是半导体行业未来十年的主要目标,因为它可能允许延长摩尔定律,艾滋病在内存中计算,使先进的制造设备超出常规的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。然而,大多数与电路有关的恶魔……»阅读更多

电力/性能:8月9日
通过杰西·艾伦- 09年8月,2021 -评论:0

电容器在插入器东京技术学院的科学家们开发了一个3 d功能插入器包含一个嵌入式电容器。他们兜售区域作为储蓄包设计和减少布线的长度,导致更少的噪音和功耗。电容式元素嵌入一块300毫米硅使用永久胶粘剂和模具树脂。之间的互联…»阅读更多

电力/性能:2月25日
通过杰西·艾伦- 2月25日,2020 -评论:0

薄,灵活的触摸屏皇家墨尔本理工大学的研究人员从新南威尔士大学和莫纳什大学开发了一个薄,灵活的触摸屏的电子材料。这种材料比目前的触摸屏材料还要细100倍。新的屏幕仍然是基于氧化铟锡(ITO),是一种常见的触摸屏材料。然而,使用液态金属印刷的方法……»阅读更多

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