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3 d与非

内存架构的记忆细胞是纵向设计的,而不是使用传统的浮栅。
受欢迎程度

描述

由于193海里浸泡和多个模式,平面NAND闪存厂商已经扩展到1 xnm节点政权。平面与非涉及多晶硅的生产水平带。使用带wordlines。反过来,这些连接的控制盖茨记忆细胞。

但1 xnm节点,供应商正在努力规模NAND开头浮栅的关键元素。事实上,该浮置栅极看到是一个不受欢迎的削减控制栅电容耦合比。

意识到平面NAND奄奄一息,三星有跳上竞争对手,在2013年推出了该行业的首部3 d NAND闪存设备。三星V-NAND装置128 Gbit芯片垂直堆栈24层,由250万个频道。最近,三星推出了ssd 32-layer设备和基于它的芯片。

此外,微米,SK,两家公司也在开发3 d NAND闪存。

在3 d NAND,多晶硅条拉伸,垂直折叠,站了起来。而不是使用传统的浮栅,3 d NAND使用电荷陷阱技术。基于氮化硅薄膜,电荷捕获存储记忆的两侧。

说明一种方法制造挑战3 d NAND三星V-NAND是检查设备。使用30到40 nm设计规则和gate-last流,三星3 d NAND闪存技术具有单元阵列称为t比特信息能力晶体管(TCAT)。TCAT gate-all-around设备,门口围绕着频道。

TCAT流始于互补金属氧化物半导体衬底。然后,交替层氮化硅和二氧化硅沉积在衬底上,根据客观的分析。这个过程,就像一层蛋糕,代表第一大挑战flow-alternating堆栈沉积。

堆栈使用化学气相沉积(CVD)、交替沉积涉及一个沉淀的过程和叠加薄膜层的层。挑战在于存款好的电影千篇一律和低的缺陷。和升级的挑战3 d NAND闪存供应商他们的设备规模超过32层。

堆栈交替沉积的数量决定了层对于一个给定的设备。这一步后,硬掩模图案应用于结构和孔在顶部。

然后是下一个困难的部分。高纵横比战壕蚀刻设备顶部的衬底。方面比率比平面的十倍。使用后高纵横比腐蚀过程中,洞是内衬多晶硅的通道。洞里满是二氧化硅,这被称为“通心粉频道,”根据客观的分析。

然后,列结构使用缝隙腐蚀过程中形成的。在这一点上,最初的交替层氮化硅和二氧化硅。最后与鳍结构看起来像一个狭窄的塔,根据客观的分析。

这一步后,外围逻辑必须连接到控制盖茨。完成这一壮举,step-staircase腐蚀结构经历了另一个困难。使用腐蚀装置,这个想法是为了腐蚀楼梯模式到一边的设备。


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