拆卸的176 l 3 d NAND揭示随着层数的增加变化。
微米176 l 3 d NAND是世界上第一个176 l 3 d NAND闪存。TechInsights只找到了512 gb 176 l死(B47R死亡标记)并迅速查看其过程,结构和模具设计。微米176 l 3 d NAND是迄今为止最突破性的技术之一,它尤其等存储应用程序数据中心,5 g, AI,云,智能优势,和移动设备。微米已经宣布其性能改进,例如,阅读延迟和延迟写改善从96 l FG CuA 35%以上,并从128 l周大福CuA超过25%。
我们拆除微米3400 1 tb SSD作为PCIe社会民主党NVMe Gen-4(1.4),得到了MT29F4T08EQLEEG8-QB: E (FBGA代码:NY124)。两个512 gb的设备打包为1 tb SSD在黑板上。3400 SSD使用微米的最新内部SSD控制器,DM02A1,不同于之前2300 SSD (96 l)和P5 DM01B2至关重要的控制器。
图1:微米176 l 512 gb TLC死图像;顶级金属和CuA认为(死亡标记添加)。
图1显示了一个顶级金属认为死,CMOS电路将死,B47R死标记。与之前相比128 l周大福CuA 512 gb B37R TLC死,死大小由于较高的细胞密度下降了25%,3 d NAND细胞数量增加,和页面缓冲/ wordline开关设计有效地扩展。
图2:微米3 d NAND架构和垂直NAND串高度趋势176 l。
176 l 3 d NAND是2nd一代为微米周大福结构(图2)。NAND闪存单元阵列的高度(高度从源端选择器到提单,比较)已经超过11µm。盖茨总数包括选择器(STs)和虚拟字线(设计水线)垂直NAND串是195,195 t所谓,这是有史以来最多3 d NAND(图3)。他们一直双栈的架构,replacement-gate过程,氮化充电器陷阱(卡通),CMOS-under-Array (CuA)技术。
图3:一个比较的盖茨总数3 d NAND球员和设备。
密度达到10.273 Gb /毫米2为512 Gb TLC死大大减少模具尺寸与之前相比128 l 512 Gb TLC死(B37R死亡标记,Gb / 7.755毫米2。它是世界上第一个TLC NAND死亡超过10 Gb /毫米2密度(图4)。
图4:微米512 gb TLC NAND死大小和密度的趋势,176 l。
与微米128 l相比,新176 l细胞结构包含两个甲板88 WLs。互连金属和联系人/通过BEOL与128 l和CuA是相同的,而垂直通道高度增加到10.6µm (VC)洞。3 d NAND晶胞大小在西城和提单方向0.02µm2,晶胞体积略下降到1.12 x 104µm3由于较小的门(表1)。
表1:一个比较的设备特性,微米512 gb 128 l和176 l。
随着盖茨细胞数量的增加超过150 l,我们期望有很多挑战,例如,选择图层叠加(模具层),王楼梯优化、垂直通道孔HAR蚀刻和退化层过程中,小野,甲板不重合,牺牲层去除,更换门填补,CSL沟剖面,晶片翘曲和相关过程一致性。我们一直在通过成功地商业化176 l设备。
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